氮化鋁陶瓷基板精密加工廠

    氮化鋁陶瓷具有優良的導熱性（為氧化鋁陶瓷的 5-10倍），較低的介電常數和介質損耗，可靠的絕緣性能，優良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕，且與硅的熱膨脹系數相近，廣泛應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。鈞杰陶瓷可按客戶要求生產各種規格尺寸形狀的產品。鈞杰陶瓷具有現代化生產線及精密的檢測設備，嚴格按照國家標準進行產品開發和組織生產。以誠實待客、信譽為本的理念為廣大客戶提供高質量的產、與全國各地眾多的客戶建立了良好的業務關系，得到了許多客戶的信任和好評，鈞杰陶瓷以信賴的服務與廣大用戶建立并保持了長久良好的合作關系。我們誠邀社會各界新老朋友光臨指導、加深了解、真誠合作。咨詢鈞杰陶瓷聯系電話：136 998 99025。

  氮化鋁（AlN）陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導率大于140W/m.k）、較低的介電常數（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數（4.4×10－4/℃）等優點，化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。
  氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，電性能好、熱膨脹系數與Si片接近,強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
1、氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2、氮化鋁陶瓷基片，耐化學腐蝕，熱導率高，介電損耗小，強度高，膨脹系數低，耐高溫，電阻率高，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、氮化鋁陶瓷硬度高,超過傳統氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價高,只能用于磨損嚴重的部位。
4、主要是利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁陶瓷薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
5、氮化鋁陶瓷材料耐熱、耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業中廣泛應用。
  主要應用于：高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等產品中做高性能基片材料和封裝材料，廣泛應用于通訊器件、 高亮度LED、電力電子器件等行業。特點：熱導率高、電性能好、熱膨脹系數與Si片接近、無毒性，是取代BeO陶瓷的理想材料。鈞杰陶瓷常年致力于從事特種陶瓷材料的技術開發、產品設計制造以及現場施工，確保為用戶提供優質的特種陶瓷防腐材料及工程服務。咨詢鈞杰陶瓷聯系電話：136 998 99025。